Αυτές τις μέρες, η Samsung ετοιμάζεται να ξεκινήσει την παραγωγή των εξαιρετικά γρήγορων μνημών UFS 2.0 NAND Flash που σκοπεύει να χρησιμοποιήσει στη μελλοντική ναυαρχίδα της, τη Samsung Galaxy S6. Μέχρι τώρα χρησιμοποιήθηκε η τεχνολογία μνήμης Flash eMMC NAND, η οποία ήταν σε θέση να επιτύχει ταχύτητα μεταφοράς 400 MB/s. Ωστόσο, χάρη στη νέα τεχνολογία UFS δεύτερης γενιάς, η μνήμη θα βρίσκεται στα τηλέφωνα Galaxy S6 ικανό να φτάσει ταχύτητα μεταφοράς έως και 1.2 GB/s, δηλαδή ταχύτητα τρεις φορές μεγαλύτερη.
Αυτό φυσικά θα αντικατοπτρίζεται στη μεταφορά μεγάλων αρχείων, όπως η μεταφορά βίντεο 4K με χρήση σύνδεσης LTE-A. Επιπλέον, σε σύγκριση με το eMMC 5.0, η τεχνολογία προσφέρει έως και 50% χαμηλότερη κατανάλωση, κάτι που έχει θετική επίδραση στη διάρκεια ζωής της μπαταρίας του νέου τηλεφώνου. Η Samsung σχεδιάζει επίσης να χρησιμοποιήσει την τεχνολογία στις κάρτες SD και microSD της και προφανώς ήδη εργάζεται σκληρά πάνω σε αυτήν. Ο βασικός Κινέζος αντίπαλος της Samsung, η Xiaomi, σχεδιάζει επίσης να χρησιμοποιήσει τη μνήμη Flash UFS και φαίνεται ότι ενδιαφέρον θα δείξουν και οι Toshima, Hynix και Micron. Επιπλέον, χάρη στην τεχνολογία UFS, η Samsung θα αναγκαστεί να χρησιμοποιήσει τη θύρα microUSB 3.0 εάν θέλει να χρησιμοποιήσει την ταχύτητα μεταφοράς κατά τη μεταφορά αρχείων από υπολογιστή σε κινητό τηλέφωνο και αντίστροφα.
var sklikData = { φτελιά: "sklikReklama_47926", zoneId: 47926, w: 600, h: 190 };
var sklikData = { φτελιά: "sklikReklama_47925", zoneId: 47925, w: 600, h: 190 };
*Πηγή: ETNews
