Το πρώτο αποτέλεσμα του βασικού μοντέλου της επόμενης ναυαρχίδας της Samsung εμφανίστηκε στη βάση δεδομένων του δημοφιλούς σημείου αναφοράς Geekbench 5 Galaxy S23. Το τηλέφωνο φέρει την ετικέτα SM-S911U, η οποία υποτίθεται ότι είναι η αμερικανική έκδοση και προφανώς δοκιμάστηκε με το επόμενο κορυφαίο τσιπ της Qualcomm Snapdragon 8 Gen2.
Galaxy Το S23 σημείωσε 1524 βαθμούς στη δοκιμή ενός πυρήνα και 4597 βαθμούς στη δοκιμή πολλαπλών πυρήνων. Για σύγκριση: Galaxy S22 με το τσιπ Snapdragon 8 Gen 1, έφτασε περίπου τα 1200, ή 3200 πόντους, ενώ οι συσκευές με το τρέχον κορυφαίο τσιπ Qualcomm Snapdragon 8+ Gen 1 συνήθως σκοράρουν περίπου 1300 ή 4200 βαθμοί.
Fotogalerie
Το τεστ δείχνει επίσης αυτό Galaxy Το S23 θα έχει 8 GB μνήμης RAM (άρα το ίδιο με Galaxy S22) ότι χωρίς έκπληξη θα τροφοδοτείται από λογισμικό Android 13 και ότι οι λειτουργίες γραφικών θα γίνονται από το τσιπ Adreno 740 (τα τσιπ Snapdragon 8 Gen 1 και 8+ Gen 1 χρησιμοποιούν το Adreno 730).
Μπορεί να σας ενδιαφέρει
Σύμφωνα με τις μέχρι τώρα διαρροές θα έχει Galaxy S23 ελαφρώς ψηλότερα χωρητικότητα μπαταρία από τον προκάτοχο και (όπως και άλλα μοντέλα της σειράς) πρακτικά το ίδιο διαστάσεις ακόμη και το ίδιο μέγεθος οθόνης. Η σειρά αναμένεται να κυκλοφορήσει τον Ιανουάριο ή τον Φεβρουάριο του επόμενου έτους.
Τηλέφωνα σειράς Galaxy Για παράδειγμα, μπορείτε να αγοράσετε το S22 εδώ
